¿Cuál es el ángulo de divergencia del plano?

Se refiere al ángulo entre las generatrices del haz de partículas en forma de cono y la línea central del cono.

Investigación actual:

En los láseres semiconductores de pozo cuántico, el efecto de difracción causado por el tamaño cuántico hace que la calidad del haz del láser semiconductor sea muy pobre. El ángulo de divergencia del plano de unión vertical de esta estructura está limitado a aproximadamente 40°, lo que hace que el sistema de conformación del haz sea más complejo y limita la aplicación directa de láseres semiconductores. Para resolver este problema, se propone reducir el ángulo de divergencia de la superficie de la junta vertical. Se revisa el desarrollo tecnológico y la aplicación de láseres semiconductores de ángulo de divergencia pequeño. Se realizaron simulación teórica y verificación experimental en la estructura de guía de onda extendida en modo de ángulo de divergencia pequeño, y se obtuvo la estructura optimizada. La tecnología epitaxial MOCVD se utiliza para cultivar obleas epitaxiales para producir láseres de pulso de alta potencia máxima. Se ha obtenido un láser semiconductor con un ángulo de divergencia de eje rápido inferior a 25° y una potencia máxima superior a 80W, que ha conseguido buenos resultados en aplicaciones de espoleta láser.

Medición del ángulo de divergencia del plano;

Existen muchos métodos para medir el ángulo de divergencia de un haz gaussiano, pero generalmente es difícil medir ángulos de divergencia muy pequeños, como 20 μrad. Para medir un ángulo tan pequeño, aquí se utiliza un telescopio colimador láser invertido para ampliar primero el ángulo de divergencia a medir y luego medirlo. Al mismo tiempo, se analizó la influencia del error de posicionamiento del telescopio colimador láser invertido en la ampliación del ángulo de divergencia y se concluyó la viabilidad de utilizar el telescopio colimador láser invertido para medir el ángulo de divergencia de un pequeño haz gaussiano.