¿Cómo mejora el revestimiento al vacío de virutas la situación del revestimiento por desbordamiento y el revestimiento múltiple?
Existen muchos tipos de galvanoplastia. ¿Te refieres al revestimiento de agua?
El espesor de la película de la galvanoplastia con agua es más grueso que el de la pulverización catódica al vacío. El espesor del recubrimiento hidroeléctrico es generalmente de 15 a 20 UM. Galvanoplastia al vacío
El espesor de la película es generalmente de 0,5 a 2 UM. Las diferentes soluciones químicas de revestimiento de agua tendrán diferentes colores.
Los diferentes objetivos de recubrimiento al vacío tienen diferentes colores de recubrimiento, y la potencia y el grado de vacío del recubrimiento al vacío cambiarán.
Sonido crepitante
La pulverización consiste en bombardear el objetivo con iones de argón, y los átomos del objetivo se convierten en vapor y se depositan en el sustrato. La pulverización catódica tiene una amplia gama de aplicaciones y puede depositar casi cualquier material.
1)
Ventajas y limitaciones del sputtering
I)
Ventajas
Respuesta
p>
Libre de contaminación
b)
Multiusos
c)
Buena adherencia
2)
Restricciones
Respuesta
La fabricación de blancos está restringida.
b)
El daño a objetivos como los de cerámica limita el rango de energía que se puede utilizar.
c)
Baja tasa de deposición
2)
Sistema de pulverización catódica
i)
Clasificación
Respuesta
Tipo bipolar plano: el objetivo es negativo y la base es positiva.
b)
Trípolo: Sistema formado por un ánodo, un cátodo y una fuente externa de electrones. Una fuente externa de electrones genera un campo eléctrico para acelerar las moléculas de gas ionizadas por el ánodo. Los sistemas de triodo no se pueden utilizar para pulverización catódica reactiva porque los electrones afectarán a los gases reactivos y contaminarán el filamento.
c)
SPuttering magnetrón: utilice un campo magnético para aumentar la velocidad de sputtering.
d)
Suttering reactivo: los gases reactivos se introducen en la cámara de vacío y reaccionan con los átomos del metal para generar compuestos para galvanoplastia.
II)
Clasificación del flujo de agua
Respuesta
SPuttering DC: aplicado a sustratos y revestimientos conductores
b)
SPuttering con corriente alterna (o radiofrecuencia): aplicada a sustratos y revestimientos conductores o no conductores.
3)
Combinación del sistema de pulverización catódica
I)
Material objetivo
durante el proceso de pulverización catódica, el el material de recubrimiento depositado sobre el sustrato es bombardeado por iones positivos en el plasma; el objetivo suele ser el cátodo.
II)
Flujo de pulverización catódica
El flujo durante la pulverización catódica es el flujo de átomos pulverizados. La composición de los átomos del flujo es la misma que la de un objetivo enfriado sin difusión interna. Las tasas de chisporroteo de todos los materiales del mismo objetivo son casi las mismas. (Sin embargo, la tasa de evaporación de la evaporación es diferente).
3)
Protección del suelo
Limita el bombardeo de iones y el objetivo chisporroteante; evita salpicaduras del dispositivo objetivo. La distancia entre el escudo y el objetivo debe ser menor que el espesor del espacio oscuro (espacio oscuro), por lo que cuando se usa a alta frecuencia (13,5 MHz) o alto voltaje, esta distancia es cercana.
IV)
Dispositivo de protección
Placa móvil dispuesta entre dos electrodos. Normalmente, cuando se salpica un objetivo de limpieza (el objetivo puede estar contaminado por la atmósfera durante la carga o la operación), se mueve entre el objetivo y el sustrato.
5)
Enfriamiento del material objetivo
Cuando se introduce energía externa en el sistema, la temperatura del material objetivo aumentará y la combinación entre el material objetivo y el dispositivo se destruirán, por lo que se debe enfriar. Generalmente, los objetivos se enfrían con agua.
VI)
Control de temperatura del sustrato
Utilizar resistencia y calentamiento con fuente de luz. En términos generales, debido a la descarga luminosa, la temperatura de la superficie del sustrato será mayor que la temperatura de la superficie del material anfitrión.
4)
Proyección catódica de aisladores
Las películas aislantes se pueden pulverizar mediante RF o pulverización reactiva. Si se utiliza pulverización catódica de CC, la carga superficial se acumulará rápidamente y la pulverización catódica será imposible.
I)
SPuttering por radiofrecuencia (RF
sputtering)
La frecuencia utilizada es 13,56.
La fuente de alimentación de radiofrecuencia en MHz hace que la superficie del objetivo y el recubrimiento sean bombardeados alternativamente por iones y electrones para evitar la acumulación de carga.
II)
Ventajas de la pulverización catódica por radiofrecuencia
Respuesta
Mejora la eficiencia de la ionización por bombardeo de electrones y la presión de funcionamiento es relativamente bajo (
b)
Reducir la formación de arcos (la formación de arcos es causada por polvo o gas vaporizado calentado)
3)
Salpicadura reactiva
pulverización)
Agregue un gas reactivo, como Ar, al gas argón.
+
El H2S y los átomos pulverizados, como el cadmio, forman sulfuro de cadmio. (Por ejemplo, el nitruro de titanio se formaría pulverizando titanio en argón y nitrógeno). Puede ser pulverización catódica reactiva de CC o RF.
5)
SPuttering magnetrón
SPuttering)
"Magnetrón" se refiere a "electrones magnetizados" (magnético
Electrónica)
I)
Ventajas y desventajas
Aunque la pulverización catódica con magnetrón aumentará la velocidad de pulverización, también acelerará la pérdida del material objetivo. Dado que la distancia entre el sustrato y el plasma es grande, el sustrato está lejos del plasma y puede pulverizarse a una temperatura de funcionamiento más baja.
2)
Método de funcionamiento
Está compuesto por un campo eléctrico vertical y un campo magnético. Debido a la interacción electromagnética, los electrones se concentran cerca del objetivo, lo que mejora el efecto de ionización, como se muestra en la siguiente figura.
Respuesta
El campo magnético formará un lugar de reunión para los electrones en la superficie del electrodo negativo, y los iones se acumularán debido al efecto electrostático de la fuente de electrones restringida.
b)
Los electrones pueden acumularse eficazmente en la superficie objetivo, mejorando la eficiencia de ionización y la tasa de pulverización.